Samsung

Объём накопителя: 1920 Гб
Тип флэш-памяти: TLC
Форм-фактор: 2.5"
Интерфейс: SAS 3.0 (12 Гбит/с)

Форм-фактор SSD:2.5"
Тип памяти:TLC 3D NAND
Объем SSD:1920 Гб
Интерфейс подключения:SATA III
Наличие буфера:нет
Скорость чтения до:550 Мб/с

Объем накопителя: 1 ТБ;

Скорости: чтения до 3500 МБ/с, записи до 3000 МБ/с;

Интерфейс: PCI-E x4;

Тип памяти: V-NAND 3-bit MLC;

TBW: 600 ТБ;

Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;

Особенности: поддержка NVMe;

Подключение Форм-фактор M.2 2280 Интерфейс PCIe 4.0 x4 (NVMe) Характеристики памяти накопителя Ёмкость накопителя 1000 Гбайт Тип памяти V-NAND Кэш-память HMB Скоростные характеристики Скорость последовательного чтения 5000 Мбайт/c Скорость последовательной записи 4200 Мбайт/c…

Объем накопителя: 2048 ГБ;
Скорости: чтения до 5000 МБ/с, записи до 4200 МБ/с;
Интерфейс: PCIe 4.0 x4;
Тип памяти: 3D;
TBW: 1200 ТБ;
Форм-фактор: M.2 2280; толщина 2.38 мм; разъем M.2;
Особенности: поддержка NVMe;

Форм-фактор:2.5 "
Тип диска:SSD
Объем:3.84 Тб

Форм-фактор SSD:2.5"
Тип памяти:TLC 3D NAND
Объем SSD:3840 Гб
Интерфейс подключения:SATA III
Наличие буфера:нет
Скорость чтения до:560 Мб/с

частота: 3200МГц;
тип: DIMM, ECC, registered, dual rank,
латентность: CL22;
тайминги: 22-22-22;

Форм-фактор SSD:2280
Разъём подключения:M.2
Тип памяти:V-NAND TLC
Объем SSD:4000 Гб
Интерфейс:PCIe 4.0 x4
Скорость чтения до:7450 Мб/с

Форм-фактор:2.5 "
Тип диска:SSD
Объем:7.68 Тб

Форм-фактор SSD:2.5"
Тип памяти:TLC
Объем SSD:7680 Гб
Интерфейс подключения:U.2 (PCIe 4 x4 NVMe)
Наличие буфера:нет
Скорость чтения до:6700 Мб/с

Производитель:Samsung
Линейка:870 EVO
Емкость:1000 ГБ
Назначение:для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор:2.5"
Интерфейс SATA:SATA 6Gb/s
|Назначение - для ноутбука и настольного компьютера | Форм-фактор - "2.5"" "|Объем - 1000

Форм-фактор
2.5"
Интерфейс
SATA III
Максимальная скорость чтения
560 МБ/с
Максимальная скорость записи
530 МБ/с
Тип памяти NAND
3D TLC
Ресурс TBW
150 ТБ
Толщина
6.8 мм

объем накопителя: 2048 ГБ;
скорости: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с;
интерфейс: SATA III;
тип памяти: 3D TLC;
TBW: 1200 ТБ;
форм-фактор: 2.5"; толщина 6.8 мм; разъем SATA;

Форм-фактор
2.5"
Интерфейс
SATA III
Максимальная скорость чтения
560 МБ/с
Максимальная скорость записи
530 МБ/с
Тип памяти NAND
3D TLC
Ресурс TBW
300 ТБ
Толщина
6.8 мм

Общие характеристики Емкость накопителя 1 Тб Конфигурация Тип чипов 3D NAND QLC Параметры производительности Скорость чтения до 560 МБ/сек Скорость записи до 530 МБ/сек …

объем накопителя: 2048 ГБ;
скорости: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с;
интерфейс: SATA III;
тип памяти: V-NAND 4-bit MLC;
TBW: 720 ТБ;
форм-фактор: 2.5"; толщина 6.8 мм; разъем SATA;

Форм-фактор SSD:2.5"
Тип памяти:MLC
Объем SSD:4000 Гб
Интерфейс подключения:SATA III
Наличие буфера:да
Объем буфера:4000 мб

объем накопителя: 8192 ГБ;
скорости: чтения до 560 МБ/с, записи до 530 МБ/с;
интерфейс: SATA III;
тип памяти: 3D;
TBW: 2880 ТБ;
форм-фактор: 2.5"; толщина 6.8 мм;

объем накопителя: 960 ГБ;
скорости: чтения до 550 МБ/с, записи до 520 МБ/с;
интерфейс: SATA III;
тип памяти: 3D TLC;
TBW: 1366 ТБ;
форм-фактор: 2.5"; толщина 7 мм; разъем SATA;