Patriot

объем: 4096 МБ;
частота: 1333МГц;
латентность: CL9;
тайминги: 9-9-9;
форм-фактор: DIMM, 240-pin;

Общие характеристики Форм-фактор DIMM Тип памяти DDR3 Количество контактов 240-pin Объем 4096 Мб Показатель скорости PC3-10600 Буферизация unbuffered Поддержка ECC не поддерживается Тестовые характеристики Скорость 1333МГц Напряжение 1.5В Задержка 9-9-9…

Основные характеристики Производитель Patriot Модель PSD34G160081 Объем модуля памяти 4 Гб Количество модулей в комплекте 1 Тип оборудования Модуль памяти DDR3 Частота функционирования до 1600 МГц Стандарт памяти PC3-12800 (DDR3 1600 МГц) …

Форм-фактор
DIMM
Количество контактов
240-pin
Латентность
CL11

Напряжение питания
1.2
В
Множитель частоты шины
19
Радиатор
нет
Частота работы оперативной памяти
2666
МГц
Количество
1
Объем модуля памяти
4Гб
Общий объём памяти
4Гб
Тип оперативной памяти
DDR4
Серия
Signature Line

Общие характеристики Назначение Для компьютеров Производитель Patriot Модель PSD38G16002…

Общие характеристики Назначение:для системного блока Тип поставки:один модуль 1x8Gb Тип памяти:DDR4 …

Тип памяти:DDR4
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Объем одного модуля:8 Гб
Кол-во модулей в упаковке:2 шт.

Объем: 16 ГБ;
Частота: 3200 МГц;
Латентность: CL18;
Тайминги: 18-22-22-42;
Форм-фактор: DIMM, 288-pin;
Особенности: оснащается радиатором;
Тип поставки: Ret;

Объём памяти: 16 Гб
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 28800 Мб/с
CAS Latency (CL): 20
RAS to CAS Delay (tRCD): 26
Row Precharge Delay (tRP): 26
Activate to Precharge Delay (tRAS): 46
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да

Тип памяти:DDR4
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Объем одного модуля:16 Гб
Кол-во модулей в упаковке:1 шт.

Тип памяти:DDR4
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL18
Объем одного модуля:16 Гб
Кол-во модулей в упаковке:1 шт.

Объём памяти: 16 Гб
Количество модулей в комплекте: 2
Тип памяти: DDR4
Пропускная способность: 25600 Мб/с
CAS Latency (CL): 18
RAS to CAS Delay (tRCD): 22
Row Precharge Delay (tRP): 22
Activate to Precharge Delay (tRAS): 42
Напряжение питания: 1.35 В
Поддержка XMP: да
Система охлаждения: пассивная (радиатор)
Подсветка: да

Тип памяти:DDR4
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL20
Объем одного модуля:8 Гб
Кол-во модулей в упаковке:2 шт.

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Подсветка:нет

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Тайминги:15-15-15-36

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-20-20-40

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 260-контактный
Тактовая частота:3600 МГц
Пропускная способность:28800 Мб/с
Латентность:CL18
Тайминги:18-22-22-42

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL16
Тайминги:16-20-20-40

Тип памяти:DDR4
Форм-фактор:DIMM 288-контактный
Тактовая частота:3200 МГц
Пропускная способность:25600 Мб/с
Латентность:CL18
Подсветка:нет