Процессор

частота: 1.9 ГГц, в режиме Turbo 1.9 ГГц,
сокет: LGA 3647;
число ядер: 8, потоков 8,
тепловыделение: 85 Вт;
технологический процесс: 14 нм;

Socket: LGA 1151v2
Количество ядер: 4
Тактовая частота: 3400 МГц
Ядро: Coffee Lake-ER
Объём кэша L2: 1 Мб
Объём кэша L3: 8 Мб
Техпроцесс: 14 нм
Тепловыделение: 71 Вт

Socket: LGA 1151v2
Количество ядер: 4
Тактовая частота: 3500 МГц
Ядро: Coffee Lake-ER
Объём кэша L2: 1 Мб
Объём кэша L3: 8 Мб
Техпроцесс: 14 нм
Тепловыделение: 71 Вт

Частота: 3.6 ГГц, в режиме Turbo 4.8 ГГц,
Сокет: LGA 1151;
Число ядер: 4, потоков 8,
Тепловыделение: 71 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1151-v2
Ядро:Coffee Lake-ER
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:6 ядер
Количество потоков:12 потоков

Socket: LGA 1151v2
Количество ядер: 6
Тактовая частота: 3600 МГц
Ядро: Coffee Lake-ER
Объём кэша L2: 1.5 Мб
Объём кэша L3: 12 Мб
Техпроцесс: 14 нм
Тепловыделение: 80 Вт

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1200
Ядро:Rocket Lake
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:4 ядра
Количество потоков:4 потока

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1200
Ядро:Rocket Lake
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:6 ядер
Количество потоков:12 потоков

частота: 2.8 ГГц, в режиме Turbo 5.1 ГГц,
сокет: FCLGA1200;
число ядер: 8, потоков 16,
тепловыделение: 80 Вт;
технологический процесс: 14 нм;

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1200
Ядро:Rocket Lake
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:6 ядер
Количество потоков:12 потоков

Серия:INTEL Xeon E
Тип разъема (Socket):LGA1200
Ядро:Rocket Lake
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:8 ядер
Количество потоков:16 потоков

Частота: 3.0 ГГц, в режиме Turbo 3.5 ГГц,
Сокет: LGA 1151;
Число ядер: 4, потоков 4,
Тепловыделение: 72 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Частота: 3.5 ГГц, в режиме Turbo 3.9 ГГц,
Сокет: LGA 1151;
Число ядер: 4, потоков 8,
Тепловыделение: 72 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Серия:INTEL Xeon E3 v6
Тип разъема (Socket):LGA1151
Ядро:Kaby Lake-S
Техпроцесс:14 nm
Количество ядер:4 ядра
Количество потоков:8 потоков

Общие характеристики Socket LGA 2011-3 Количество ядер 6 Количество потоков 6 Частота процессора 1.7 ГГц Пропускная способность 6.4 GT/s Кэш-память 15 Мб Технологический процесс 14 нм Тепловыделение 85 Вт Максимальная температура 73 °С…

Частота: 2.4 ГГц, в режиме Turbo 3.4 ГГц,
Сокет: LGA 2011-3;
Число ядер: 10, потоков 20,
Тепловыделение: 90 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Частота: 2.2 ГГц, в режиме Turbo 2.9 ГГц,
Сокет: LGA 2011-3;
Число ядер: 12, потоков 24,
Тепловыделение: 105 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Socket: LGA 2011-3
Количество ядер: 14
Тактовая частота: 2600 МГц
Ядро: Broadwell-EP
Объём кэша L2: 3.5 Мб
Объём кэша L3: 35 Мб
Техпроцесс: 14 нм
Тепловыделение: 135 Вт

Частота: 2.2 ГГц, в режиме Turbo 3.6 ГГц,
Сокет: LGA 2011-3;
Число ядер: 22, потоков 44,
Тепловыделение: 145 Вт;
Технологический процесс: 14 нм;

Ядер 12
Потоков 24
Базовая частота 2.3 ГГц
Максимальная частота 3.2 ГГц
Кэш 1-го уровня 768 Кб
Кэш 2-го уровня 12 Мб
Кэш 3-го уровня 16.5 Мб
Технологический процесс 14 нм
Максимальная температура ядра 81 °C
Поддержка 64 бит +
Совместимость с Windows 11 +
Свободный множитель Нет
TDP 105 W
Версия PCI Express 3.0
Тип памяти DDR4-2400
Макс. размер 768 GB
Количество каналов 6